文/集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 趙秀芹

　　摘要：本文結(jié)合一復(fù)審案例，根據(jù)合議組下發(fā)的復(fù)審決定書中有關(guān)區(qū)別技術(shù)特征是否為本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到的技術(shù)特征和區(qū)別技術(shù)特征是否為本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)手段的闡述，探討申請(qǐng)人或代理人在實(shí)際工作中如何答辯審查員下發(fā)的技術(shù)特征為“容易想到”和“常規(guī)技術(shù)手段”的審查意見。

　　關(guān)鍵詞：創(chuàng)造性、容易想到、常規(guī)技術(shù)手段、技術(shù)啟示

　　一、引言

　　在審查員下發(fā)的一些審查意見中，往往以本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易想到區(qū)別技術(shù)特征或者區(qū)別技術(shù)特征為本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)手段為由，而認(rèn)為權(quán)利要求不具備創(chuàng)造性。

　　而由于在《審查指南》中，對(duì)“容易想到”和“常規(guī)技術(shù)手段”沒(méi)有明確的解釋和說(shuō)明，其本身帶有很多的人為主觀因素，且沒(méi)有客觀證據(jù)，致使申請(qǐng)人或代理人針對(duì)此類審查意見很難找到比較有利的答復(fù)點(diǎn)。

　　本文將結(jié)合一復(fù)審案例探討如何答辯審查員下發(fā)的“容易想到”和“常規(guī)技術(shù)手段”的審查意見。

　　二、案情簡(jiǎn)介

　　本文涉及的案件，其專利申請(qǐng)?zhí)枮?01110061456.5、發(fā)明名稱為《MEMS壓力傳感器及其制作方法》，在實(shí)審階段，審查員下發(fā)了四次審查意見，申請(qǐng)人對(duì)這四次審查意見進(jìn)行了詳細(xì)答復(fù)，但最終以修改超范圍以及區(qū)別技術(shù)特征很容易想到和為本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)手段為由，于2014年12月29日下發(fā)了駁回決定。

　　申請(qǐng)人不服上述駁回決定，于2015年4月09日提出了復(fù)審請(qǐng)求，在復(fù)審請(qǐng)求中，申請(qǐng)人僅對(duì)權(quán)利要求書做了克服修改超范圍的缺陷的修改，未對(duì)權(quán)利要求書做克服沒(méi)有創(chuàng)造性缺陷的修改，在復(fù)審請(qǐng)求附頁(yè)中做了不認(rèn)同審查員的技術(shù)特征比對(duì)的意見以及區(qū)別技術(shù)特征對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員不容易想到或不屬于本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)手段的意見陳述。

　　復(fù)審委以復(fù)審請(qǐng)求中提交的文本以及復(fù)審請(qǐng)求附頁(yè)為審查基礎(chǔ)，于2015年12月25日下發(fā)了撤銷駁回決定的復(fù)審決定書。

　　三、案例分析

　　本文僅對(duì)本案件的權(quán)利要求1的創(chuàng)造性方面進(jìn)行詳細(xì)分析。

　　駁回決定中引用了如下對(duì)比文件：

　　對(duì)比文件1：CN186588A；

　　對(duì)比文件2：CN101082525A；

　　對(duì)比文件3：CN101171665A。

　　駁回決定所針對(duì)的權(quán)利要求1文本如下：

　　1、一種MEMS壓力傳感器，其特征在于，包括：

　　第一襯底，具有壓阻式壓力傳感單元、電連線擴(kuò)散層和所述第一襯底表面的第一粘合層；所述壓阻式壓力傳感單元包括感應(yīng)薄膜，所述感應(yīng)薄膜中具有多個(gè)電阻構(gòu)成的惠斯頓電阻橋；所述第一襯底的背面具有開口，該開口將所述感應(yīng)薄膜暴露于大氣中；

　　第二襯底，具有導(dǎo)體間介質(zhì)層、位于所述導(dǎo)體間介質(zhì)層中的導(dǎo)體連線層和所述第二襯底表面的第二粘合層；所述第二襯底還包括信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路的上方為導(dǎo)體間介質(zhì)層和導(dǎo)體連線層；

　　其中，所述第二襯底與第一襯底相對(duì)設(shè)置，通過(guò)第一粘合層和第二粘合層固定連接，所述第一粘合層與第二粘合層的圖案對(duì)應(yīng)并且均為導(dǎo)電材料；

　　所述MEMS壓力傳感器還包括參考?jí)毫η唬鰠⒖級(jí)毫η晃挥诟袘?yīng)薄膜與第二襯底之間。

　　審查員在駁回決定中主要認(rèn)為：對(duì)比文件1中的硅底座圓片12相當(dāng)于本申請(qǐng)權(quán)利要求1的第二襯底，對(duì)比文件1中的金屬層相當(dāng)于本申請(qǐng)權(quán)利要求1的導(dǎo)體連線層。權(quán)利要求1與對(duì)比文件1的區(qū)別在于：（1）所述第二襯底表面還具有第二粘合層，且通過(guò)第一襯底表面的第一粘合層和所述第二粘合層將第一襯底和第二襯底固定連接，所述第一粘合層與第二粘合層的圖案對(duì)應(yīng)并且均為導(dǎo)電材料；此外，所述第二襯底還包括信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路的上方為導(dǎo)體間介質(zhì)層和導(dǎo)體連線層；（2）將所述壓阻式壓力傳感器單元包括的引壓腔設(shè)置為參考?jí)毫η弧?/p>

　　對(duì)于區(qū)別技術(shù)特征（1），審查員認(rèn)為在對(duì)比文件3的啟示下，該技術(shù)特征是本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易想到的，對(duì)于區(qū)別技術(shù)特征（2），其屬于本領(lǐng)域的常規(guī)設(shè)計(jì)。因此，權(quán)利要求1不具備創(chuàng)造性。 針對(duì)上述駁回決定，在復(fù)審請(qǐng)求中，復(fù)審請(qǐng)求人未修改權(quán)利要求1的技術(shù)方案。因此，復(fù)審請(qǐng)求書提交的權(quán)利要求1文本與駁回決定針對(duì)的權(quán)利要求1文本相同。

　　下面結(jié)合本申請(qǐng)的復(fù)審請(qǐng)求附頁(yè)的意見陳述以及合議組下發(fā)的《復(fù)審決定書》的復(fù)審決定，分析可以從以下幾個(gè)方面答辯“容易想到”和“慣用技術(shù)手段”：

　　1、指出審查員的事實(shí)認(rèn)定錯(cuò)誤：

　　需要說(shuō)明，并不是所有審查意見中的事實(shí)認(rèn)定均存在錯(cuò)誤，有時(shí)審查意見中的事實(shí)認(rèn)定并沒(méi)有問(wèn)題。但是，復(fù)審請(qǐng)求人在分析審查意見時(shí)，首先要認(rèn)真比對(duì)技術(shù)特征，再確定審查意見中的事實(shí)認(rèn)定是否正確。當(dāng)事實(shí)認(rèn)定不正確時(shí)，指出事實(shí)認(rèn)定錯(cuò)誤之處，并給出正確的事實(shí)認(rèn)定。

　　針對(duì)本復(fù)審案例，在復(fù)審請(qǐng)求中，復(fù)審請(qǐng)求人不認(rèn)同審查員的以下審查意見：對(duì)比文件1中的硅底座圓片相當(dāng)于權(quán)利要求1中的第二襯底，并具體陳述了理由：

　　復(fù)審請(qǐng)求人認(rèn)為，在本申請(qǐng)權(quán)利要求1中，第二襯底是構(gòu)成壓力傳感器本身的一部分，其相當(dāng)于MEMS壓力傳感器的集成電路芯片。而在對(duì)比文件1中，硅底座圓片12是用于封裝傳感器圓片的封裝結(jié)構(gòu)，而非構(gòu)成壓力傳感器本身的一部分，同時(shí)在對(duì)比文件1中也沒(méi)有明確記載硅底座圓片12的具體結(jié)構(gòu)。

　　合議組認(rèn)同復(fù)審請(qǐng)求人的上述陳述，并且指出，對(duì)比文件1實(shí)施例1僅記載了：硅底座圓片12用于提供用以比較壓差的第一壓力入口以及將壓力傳感器圓片11得到的電信號(hào)通過(guò)焊接凸點(diǎn)14向外輸出。因此，對(duì)比文件1中也沒(méi)有給出硅底座圓片12可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)處理相關(guān)功能的技術(shù)啟示。因此，對(duì)比文件1中的硅底座圓片12僅是用于封裝的襯底，不能相當(dāng)于本申請(qǐng)構(gòu)成MEMS壓力傳感器一部分的第二襯底。

　　此外，合議組在《復(fù)審決定書》中還明確指出，對(duì)比文件1中的金屬層24不相當(dāng)于本申請(qǐng)的導(dǎo)體連線層，具體理由如下：

　　根據(jù)本申請(qǐng)權(quán)利要求1的描述可知，導(dǎo)體連線層位于導(dǎo)體間介質(zhì)層中，信號(hào)處理電路的上方，導(dǎo)體連線層的作用是用于將第一襯底中壓力傳感器的信號(hào)傳送至第二襯底中的信號(hào)處理電路。

　　而根據(jù)對(duì)比文件1圖2（下圖I）可以看出，金屬層24直接裸露與整個(gè)芯片外部，其與焊接凸點(diǎn)28電連接，并不位于某種介質(zhì)之間；并且由于對(duì)比文件1中也沒(méi)有公開信號(hào)處理電路，因此，金屬層24也必然不位于信號(hào)處理電路的上方。因此，對(duì)比文件1中的金屬層24與本申請(qǐng)第二襯底的導(dǎo)體連線層的位置不同，其次，對(duì)比文件1中金屬層24的作用是用于將壓力傳感器的信號(hào)向MEMS的外部傳送，而不是用于將壓力傳感器的信號(hào)傳送至MEMS內(nèi)部某一襯底中的信號(hào)處理電路。所以，兩者的作用也不同，因此，對(duì)比文件1中的金屬層24不相當(dāng)于本申請(qǐng)權(quán)利要求1中導(dǎo)體連線層。

圖I

　　2、基于正確的技術(shù)事實(shí)認(rèn)定，重新確定區(qū)別技術(shù)特征：

　　具體到本案來(lái)說(shuō)，合議組認(rèn)為權(quán)利要求1相對(duì)于對(duì)比文件1的區(qū)別技術(shù)特征如下：（1）第一襯底包括電連線擴(kuò)散層和所述第一襯底表面的第一粘合層；（2）第二襯底，具有導(dǎo)體間介質(zhì)層、位于所述導(dǎo)體間介質(zhì)層中的導(dǎo)體連線層和所述第二襯底表面的第二粘合層；所述第二襯底還包括信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路的上方為導(dǎo)體間介質(zhì)層和導(dǎo)體連線層；（3）第二襯底與第一襯底通過(guò)第一粘合層和第二粘合層固定連接，所述第一粘合層與第二粘合層的圖案對(duì)應(yīng)并且均為導(dǎo)電材料；（4）所述第二襯底與第一襯底相對(duì)設(shè)置，所述參考?jí)毫η晃挥诟袘?yīng)薄膜與第二襯底之間。

　　3、逐條分析上述每一區(qū)別技術(shù)特征是否顯而易見：

　　根據(jù)《審查指南》的第二部分第3.2.1.1（P173頁(yè)）中記載可知：“是否顯而易見”就是確定現(xiàn)有技術(shù)整體上是否存在某種技術(shù)啟示。并且在《審查指南》第173頁(yè)至第174頁(yè)中指出，認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)中存在技術(shù)啟示的三種情況：

　　（i）所述區(qū)別特征為公知常識(shí)，例如，本領(lǐng)域中解決該重新確定的技術(shù)問(wèn)題的慣用手段，或教科書或者工具書等中披露的解決該重新確定的技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段；

　　（ii）所述區(qū)別特征為與最接近的現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的技術(shù)手段，例如，同一份對(duì)比文件其它部分披露的技術(shù)手段，該技術(shù)手段在該其它部分所起的作用與該區(qū)別特征在要求保護(hù)的發(fā)明中為解決該重新決定的技術(shù)問(wèn)題所起的作用相同；

　　（iii）所述區(qū)別特征為另一份對(duì)比文件中披露的相關(guān)技術(shù)手段，該技術(shù)手段在該對(duì)比文件中所起的作用與該區(qū)別特征在要求保護(hù)的發(fā)明中為解決該重新確定的技術(shù)問(wèn)題所起的作用相同。

　　根據(jù)上述存在技術(shù)啟示的三種情況，逐一分析上述區(qū)別技術(shù)特征：

　　對(duì)于區(qū)別（1），對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，為了使硅片中的信號(hào)引出，設(shè)置電連線擴(kuò)散層是本領(lǐng)域的常規(guī)手段，此外，在對(duì)比文件1公開的壓力傳感器圓片金薄膜18與底座圓片12實(shí)現(xiàn)鍵合的信息基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)需要很容易想到將對(duì)比文件1中鍵合用的金薄膜改為粘合用的其它導(dǎo)電材料。因此，區(qū)別（1）屬于本領(lǐng)域的慣用技術(shù)手段，對(duì)權(quán)利要求1的創(chuàng)造性沒(méi)有貢獻(xiàn)。

　　對(duì)于區(qū)別（2），根據(jù)本領(lǐng)域的公知常識(shí)可知，MEMS通常需要由微結(jié)構(gòu)、電路、封裝三部分構(gòu)成，其中對(duì)微結(jié)構(gòu)作用產(chǎn)生的電信號(hào)必須要經(jīng)過(guò)處理電路的調(diào)理放大，再通過(guò)封裝通信接口才能向外傳遞至基板。可見MEMS壓力傳感器中必然需要設(shè)置信號(hào)處理電路，因此，雖然對(duì)比文件1中的硅底座圓片12不能相當(dāng)于本申請(qǐng)的第二襯底，但是在MEMS壓力傳感器中設(shè)置第二襯底，且在第二襯底上設(shè)置信號(hào)處理電路均是本領(lǐng)域的常用技術(shù)手段。同時(shí)，為了引入壓力傳感器的信號(hào)，設(shè)置導(dǎo)體連線層；以及為了使電信號(hào)能夠在需要的位置準(zhǔn)確引入引出，設(shè)置導(dǎo)體間介質(zhì)層，將導(dǎo)體連線層設(shè)置在介質(zhì)層中也是本領(lǐng)域的常規(guī)手段。因此，該區(qū)別（2）對(duì)本申請(qǐng)權(quán)利要求1的創(chuàng)造性也沒(méi)有貢獻(xiàn)。

　　對(duì)于區(qū)別（3），根據(jù)對(duì)比文件1和對(duì)比文件3公開的信息，本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易想到該技術(shù)特征，而且對(duì)比文件1和3給出了將其用于對(duì)比文件1的技術(shù)啟示。因此，該區(qū)別（3）對(duì)本申請(qǐng)權(quán)利要求1的創(chuàng)造性也沒(méi)有貢獻(xiàn)。

　　對(duì)于區(qū)別（4），對(duì)比文件1圖1（參見以下附圖II）已經(jīng)公開了：差壓的第一壓力通過(guò)底座圓片12中心的壓力入口19，作用在應(yīng)變薄膜17上，差壓的第二壓力通過(guò)位于玻璃帽子圓片11中心的入口16作用在應(yīng)變薄膜17，壓力傳感器輸出為這兩個(gè)壓力之差。即對(duì)比文件1已經(jīng)公開了：由入口19進(jìn)入的腔體可作為由入口16進(jìn)入的腔體的參考?jí)毫η弧?/p>

圖II

　　但是，權(quán)利要求1記載了“所述第二襯底與第一襯底相對(duì)設(shè)置，所述參考?jí)毫η晃挥诟袘?yīng)薄膜與第二襯底之間”，即本申請(qǐng)的技術(shù)方案是在相對(duì)設(shè)置的第一襯底和第二襯底之間形成參考?jí)毫η弧Ｍ瑫r(shí)根據(jù)說(shuō)明書的記載，通過(guò)在兩個(gè)襯底對(duì)置設(shè)置的同時(shí)形成參考?jí)毫η坏倪@種制作方法，使得第一襯底可以減薄到很小的厚度，有效地減少了傳感器的體積，降低了制作成本。 而在對(duì)比文件1中并沒(méi)有公開第二襯底，因此對(duì)比文件1并沒(méi)有公開上述區(qū)別特征，且由于對(duì)比文件關(guān)注的是MEMS傳感器的封裝方法，因此，也沒(méi)有給出應(yīng)用上述區(qū)別技術(shù)特征的技術(shù)啟示。

　　此外，在本領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域中，根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員掌握的技術(shù)知識(shí)，現(xiàn)有的MEMS壓力傳感器通常包括壓力傳感器圓片和信號(hào)處理圓片，其通常由兩種安裝結(jié)構(gòu)形式，一種是將壓力傳感器圓片和信號(hào)處理集成電路圓片分立封裝襯底的左右兩側(cè)，二者通過(guò)引線連接；另一種是將壓力傳感器圓片置于底座襯底之上，信號(hào)處理集成電路圓片置于底座襯底之下，二者通過(guò)封裝襯底中的引線連接。其中，壓力傳感圓片需要具有能夠提供參考?jí)毫Φ膮⒖級(jí)毫η唬瑢毫ψ兓D(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的感應(yīng)薄膜，能夠提供外界壓力的有壓力入口的襯底，因此，常用的壓力傳感圓片通常由三部分構(gòu)成，蝕刻以形成參考?jí)毫η坏囊r底，其上放置蝕刻后的感應(yīng)薄膜，其上再放置具有壓力入口且具有容納感應(yīng)薄膜的空腔的封裝襯底，即類似對(duì)比文件1圖2（上述圖I）的結(jié)構(gòu)。

　　而如上所述，由于壓力傳感圓片必須通過(guò)一封裝襯底與信號(hào)處理芯片相連，因此，即使將對(duì)比文件3公開的MEMS裝置設(shè)置為壓力傳感器，本領(lǐng)域技術(shù)人員也不能確定該壓力傳感器可以省去封裝襯底，設(shè)計(jì)為如本申請(qǐng)權(quán)利要求1的結(jié)構(gòu)，即該空腔106可以為所述MEMS特征108提供參考?jí)毫χ担虼耍瑢?duì)比文件3沒(méi)有給出應(yīng)用上述區(qū)別技術(shù)特征4）的技術(shù)啟示。

　　另一方面，雖然設(shè)置第二襯底是本領(lǐng)域的常用技術(shù)手段，但是根據(jù)上面所述的本領(lǐng)域技術(shù)人員掌握的技術(shù)知識(shí)，在兩種常用的MEMS壓力傳感器的結(jié)構(gòu)中，都需要對(duì)壓力傳感器圓片進(jìn)行蝕刻以形成可以作為參考?jí)毫η坏目涨弧Ｓ捎谠诂F(xiàn)有技術(shù)的這兩種結(jié)構(gòu)中，壓力傳感器圓片（即第一襯底）都不是直接與信號(hào)處理圓片（即第二襯底）對(duì)置，因此，現(xiàn)有技術(shù)中并沒(méi)有給出將兩個(gè)襯底對(duì)置設(shè)置以形成參考?jí)毫η坏募夹g(shù)啟示，所述參考?jí)毫η灰矡o(wú)法位于感應(yīng)薄膜和第二襯底之間。因此，根據(jù)現(xiàn)有證據(jù)，無(wú)法證明“第二襯底與第一襯底相對(duì)設(shè)置，所述參考?jí)毫η晃挥诟袘?yīng)薄膜與第二襯底之間”是本領(lǐng)域的公知常識(shí)或常規(guī)技術(shù)手段，也沒(méi)有證據(jù)能夠表明在現(xiàn)有技術(shù)中存在上述啟示。

　　綜上，對(duì)比文件1、2、3均沒(méi)有公開上述區(qū)別特征（4），也沒(méi)有給出采用上述區(qū)別特征的技術(shù)啟示，同時(shí)目前也沒(méi)有證據(jù)能夠表明上述特征為本領(lǐng)域的公知常識(shí)。且通過(guò)以上技術(shù)手段，本申請(qǐng)達(dá)到了有效減少傳感器體積，降低制作成本的技術(shù)效果，所以，權(quán)利要求1相對(duì)于對(duì)比文件1、2和/或3具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，具備創(chuàng)造性，符合專利法第22條第3款的規(guī)定。

　　總結(jié)上述區(qū)別（4）是否顯而易見的分析，其不僅與對(duì)比文件進(jìn)行對(duì)比分析了技術(shù)特征本身，而且還從本領(lǐng)域的技術(shù)整體狀況出發(fā)對(duì)區(qū)別（4）進(jìn)行了評(píng)析，從而得出根據(jù)本領(lǐng)域的技術(shù)整體狀況無(wú)法得出上述區(qū)別（4）顯而易見的結(jié)論，從而得出權(quán)利要求1具備創(chuàng)造性的結(jié)論。

　　另外，在分析區(qū)別特征是否顯而易見時(shí)，有時(shí)為了保持技術(shù)特征之間的相互聯(lián)系、協(xié)同作用，需要將多個(gè)區(qū)別特征結(jié)合起來(lái)形成一個(gè)整體來(lái)分析，鑒于篇幅的限制，本文針對(duì)該點(diǎn)的答辯不再詳細(xì)舉例說(shuō)明。

　　四、本案啟示

　　綜合上述復(fù)審案例，本文認(rèn)為：審查員在下發(fā)審查意見時(shí)，有時(shí)會(huì)根據(jù)自己的主觀認(rèn)知武斷地、籠統(tǒng)地認(rèn)為區(qū)別技術(shù)特征是“容易想到的”或?yàn)?ldquo;本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)手段”，這類的審查意見一般缺乏客觀依據(jù)，因此，申請(qǐng)人或代理人在答復(fù)此類有關(guān)“容易想到”和“常規(guī)技術(shù)手段”的審查意見時(shí)，首先要認(rèn)真比對(duì)分析審查意見中的技術(shù)特征比對(duì)是否正確，在確保技術(shù)特征比對(duì)正確的基礎(chǔ)上，重新界定區(qū)別技術(shù)特征，然后再結(jié)合本領(lǐng)域的技術(shù)狀況對(duì)區(qū)別技術(shù)特征是否顯而易見進(jìn)行分析，從而得出權(quán)利要求是否具備創(chuàng)造性的結(jié)論。

　　以上為筆者的一家之言，難免有不當(dāng)之處。筆者希望拋磚引玉，文中不妥之處，歡迎各位同行批評(píng)指正。